技术特点
  • 靶材的离化率接近100%
  • 颗粒平均能量更高,约为传统离子溅射的十多倍
  • 薄膜的硬度更高。比传统的磁控离子溅射薄膜的硬度约高500~700HV
  • 薄膜与基体的结合力更强
  • 与其它接近技术相比,薄膜中有害杂质更少
  • 薄膜的均匀性更好,颗粒小真正可实现纳米级薄膜
  • 在相同材料和厚度的条件下,薄膜的综合性能更为卓越
  • 镀膜时工件温度低,工件温度小于300℃,对基材带来更小的破坏